IMBG120R350M1HXTMA1

Infineon Technologies
726-IMBG120R350M1HXT
IMBG120R350M1HXTMA1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
1 Channel
1.2 kV
4.7 A
468 mOhms
- 7 V, + 20 V
5.1 V
5.9 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
CoolSiC
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 16 ns
正向跨导 - 最小值: 1.2 S
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 0.7 ns
系列: CoolSiC 1200V
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 6.3 ns
零件号别名: IMBG120R350M1H SP004463802
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已选择的属性: 0

数据表

Product Catalogs

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合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
奥地利
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
奥地利
发货时，国家/地区可能会发生变化。

CoolSiC™ MOSFET

英飞凌CoolSiC™ MOSFET采用先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，可实现最低的应用损耗和最高的运行可靠性。该款分立式CoolSiC产品组合采用TO和SMD外壳，有650V、1200V和1700V电压等级可供选择，额定导通电阻范围为27mΩ 至1000mΩ 。CoolSiC沟槽式技术可实现灵活的参数集，用于在各自的产品组合中实现特定应用的特性。这些特性包括栅极-源极电压、雪崩规格、短路能力或额定用于硬换向的内部体二极管。

库存量: 1,170

库存：
1,170
可立即发货
在途量:
1,000
预期 2027/3/4
生产周期：
52
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥50.4545 ¥50.45
¥29.945 ¥299.45
¥24.3967 ¥2,439.67
¥21.6734 ¥10,836.70
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥19.3569 ¥19,356.90
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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