IMBG65R010M2HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R010M2HXTM
Price: 180.73 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IMBG65R010M2HXTM

制造商编号：

IMBG65R010M2HXTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

寿命周期:

新产品:

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数据表:

IMBG65R010M2HXTMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	158 A
Rds On-漏源导通电阻:	13.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 7 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.6 V
Qg-栅极电荷:	112 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	535 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolSiC
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	9.4 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	SiC MOSFETS
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	24 ns
系列:	650V G2
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	CoolSiC MOSFET
典型关闭延迟时间:	30 ns
典型接通延迟时间:	16 ns
零件号别名:	IMBG65R010M2H SP005961932

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

CoolSiC™ 650 V G2碳化硅MOSFET

英飞凌科技CoolSiC™ 650V G2碳化硅MOSFET利用碳化硅的性能能力，降低能量损耗，从而在电源转换过程中实现更高的效率。英飞凌CoolSiC 650V G2 MOSFET为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动器和工业电源等各种功率半导体应用带来优势。配备CoolSiC G2的电动汽车DC快速充电站与上一代产品相比，功率损耗可减少10%，同时在不影响外形因子的前提下，实现更高的充电容量。