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IMBG65R040M2HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R040M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R040M2HXTM
Price: 72.18 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IMBG65R040M2HXTM

制造商编号：

IMBG65R040M2HXTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

数据表:

IMBG65R040M2HXTMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263-7
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	49 A
Rds On-漏源导通电阻:	49 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 7 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.6 V
Qg-栅极电荷:	28 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	197 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Infineon Technologies
下降时间:	4.6 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	8.3 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	14.4 ns
典型接通延迟时间:	8.4 ns
零件号别名:	IMBG65R040M2HXTMA1 SP005917207

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

CoolSiC™ G2碳化硅MOSFET

英飞凌 CoolSiC™ G2碳化硅MOSFET能够实现出色碳化硅 ( SiC) 性能水平，同时在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中满足最高质量标准。与硅基器件相比，碳化硅 (SiC) MOSFET可为光伏逆变器、储能系统、电动汽车 (EV) 充电、电源和电机驱动器提供更高的性能。英飞凌CoolSiC G2 MOSFET进一步推进了独特的XT互连技术（例如，采用分立式外壳TO-263-7、TO-247-4），在保持散热能力的同时克服了提高半导体芯片性能的常见挑战。G2的散热能力提高了12%，将芯片的品质因数提升到碳化硅 (SiC) 性能的稳健水平。

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供货情况

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在途量:: 2,000

预期 2026/10/19
生产周期：: 52

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥81.5634	¥81.56
	¥49.4601	¥494.60
	¥43.3468	¥4,334.68
	¥41.6857	¥20,842.85
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥39.3692	¥39,369.20

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

IMBG65R040M2HXTMA1

制造商： Infineon Technologies

说明： 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

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