IMDQ75R033M2HXTMA1

Infineon Technologies
726-IMDQ75R033M2HXTM
IMDQ75R033M2HXTMA1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 in D2PAK 7pin, Q-DPAK TSC and TO247 4pin automotive and industrial qualified

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
PG-HDSOP-22
1 Channel
750 V
53 A
41.3 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
37 nC
- 55 C
+ 175 C
217 W
Enhancement
CoolSiC
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 6 ns
正向跨导 - 最小值: 16 S
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品: SiC MOSFET
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 8 ns
系列: CoolSiC G2
工厂包装数量: 750
子类别: Transistors
晶体管极性: N-Channel
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Silicon Carbide MOSFET
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
零件号别名: IMDQ75R033M2H SP006089240
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
奥地利
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
奥地利
发货时，国家/地区可能会发生变化。

CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET

英飞凌 CoolSiC™ 750V碳化硅MOSFET旨在提供高效率、对单极栅极驱动寄生导通的鲁棒性以及可靠性。这些MOSFET在图腾柱、ANPC、维也纳整流器和FCC硬开关拓扑 中提供卓越的性能。输出电容 (Coss) 的降低使该MOSFET能够在循环换流器、CLLC、DAB和LLC软开关拓扑中以更高的开关频率运行。CoolSiC™ 750V G2 MOSFET的最大漏极-源极导通电阻高达78mΩ，并通过改进的栅极控制改善了开关损耗。这些MOSFET符合汽车和工业标准。典型应用包括电动汽车充电基础设施、电信、断路器、固态继电器、太阳能光伏逆变器和高压-低压DC-DC转换器。

库存量: 566

库存：
566 可立即发货
生产周期：
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按750的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥108.1071 ¥108.11
¥61.2121 ¥612.12
¥60.5454 ¥6,054.54
¥57.3249 ¥28,662.45
整卷卷轴（请按750的倍数订购）
¥57.3249 ¥42,993.68
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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