IMDQ75R040M2HXTMA1

Name: Infineon IMDQ75R040M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMDQ75R040M2HXTM
Price: 80.67 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IMDQ75R040M2HXTM

制造商编号：

IMDQ75R040M2HXTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 in D2PAK 7pin, Q-DPAK TSC and TO247 4pin automotive and industrial qualified

寿命周期:

新产品:

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数据表:

IMDQ75R040M2HXTMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PG-HDSOP-22
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	750 V
Id-连续漏极电流:	45 A
Rds On-漏源导通电阻:	50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 7 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.6 V
Qg-栅极电荷:	30 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	182 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolSiC
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	6 ns
正向跨导 - 最小值:	13 S
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	SiC MOSFET
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	7 ns
系列:	CoolSiC G2
工厂包装数量:	750
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	SiC MOSFET
典型关闭延迟时间:	15 ns
典型接通延迟时间:	8 ns
零件号别名:	IMDQ75R040M2H SP006089237

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已选择的属性: 0

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数据表

IMDQ75R040M2HXTMA1 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET

英飞凌 CoolSiC™ 750V碳化硅MOSFET旨在提供高效率、对单极栅极驱动寄生导通的鲁棒性以及可靠性。这些MOSFET在图腾柱、ANPC、维也纳整流器和FCC硬开关拓扑中提供卓越的性能。输出电容 (Coss) 的降低使该MOSFET能够在循环换流器、CLLC、DAB和LLC软开关拓扑中以更高的开关频率运行。CoolSiC™ 750V G2 MOSFET的最大漏极-源极导通电阻高达78mΩ，并通过改进的栅极控制改善了开关损耗。这些MOSFET符合汽车和工业标准。典型应用包括电动汽车充电基础设施、电信、断路器、固态继电器、太阳能光伏逆变器和高压-低压DC-DC转换器。