IMLT65R026M2HXTMA1

Name: Infineon IMLT65R026M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMLT65R026M2HXTM
Price: 96.11 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

726-IMLT65R026M2HXTM

制造商编号：

IMLT65R026M2HXTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

IMLT65R026M2HXTMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	82 A
Rds On-漏源导通电阻:	33 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.6 V
Qg-栅极电荷:	42 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	365 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolSiC
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	5.1 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	MOSFETs
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	10.1 ns
系列:	650V G2
工厂包装数量:	1800
子类别:	Transistors
技术:	SiC
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	SiC MOSFET
典型关闭延迟时间:	16 ns
典型接通延迟时间:	9.3 ns
零件号别名:	IMLT65R026M2H SP005969467

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数据表

IMLT65R026M2HXTMA1 数据表 (PDF)

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

CoolSiC™ 650 V G2碳化硅MOSFET

英飞凌科技CoolSiC™ 650V G2碳化硅MOSFET利用碳化硅的性能能力，降低能量损耗，从而在电源转换过程中实现更高的效率。英飞凌CoolSiC 650V G2 MOSFET为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动器和工业电源等各种功率半导体应用带来优势。配备CoolSiC G2的电动汽车DC快速充电站与上一代产品相比，功率损耗可减少10%，同时在不影响外形因子的前提下，实现更高的充电容量。