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IMZA65R015M2HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R015M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R015M2HXKS
Price: 149.4 RMB
Availability: OutOfStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IMZA65R015M2HXKS

制造商编号：

IMZA65R015M2HXKSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

数据表:

IMZA65R015M2HXKSA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	103 A
Rds On-漏源导通电阻:	18 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 7 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.6 V
Qg-栅极电荷:	79 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	341 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolSiC
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	6.4 ns
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	14.7 ns
系列:	650V G2
工厂包装数量:	240
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	22 ns
典型接通延迟时间:	11.6 ns
零件号别名:	IMZA65R015M2H

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数据表

IMZA65R015M2HXKSA1 数据表 (PDF)

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

CoolSiC™ 650 V G2碳化硅MOSFET

英飞凌科技CoolSiC™ 650V G2碳化硅MOSFET利用碳化硅的性能能力，降低能量损耗，从而在电源转换过程中实现更高的效率。英飞凌CoolSiC 650V G2 MOSFET为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动器和工业电源等各种功率半导体应用带来优势。配备CoolSiC G2的电动汽车DC快速充电站与上一代产品相比，功率损耗可减少10%，同时在不影响外形因子的前提下，实现更高的充电容量。

CoolSiC™ G2碳化硅MOSFET

英飞凌 CoolSiC™ G2碳化硅MOSFET能够实现出色碳化硅 ( SiC) 性能水平，同时在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中满足最高质量标准。与硅基器件相比，碳化硅 (SiC) MOSFET可为光伏逆变器、储能系统、电动汽车 (EV) 充电、电源和电机驱动器提供更高的性能。英飞凌CoolSiC G2 MOSFET进一步推进了独特的XT互连技术（例如，采用分立式外壳TO-263-7、TO-247-4），在保持散热能力的同时克服了提高半导体芯片性能的常见挑战。G2的散热能力提高了12%，将芯片的品质因数提升到碳化硅 (SiC) 性能的稳健水平。