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IPA60R099C7XKSA1

Name: Infineon IPA60R099C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPA60R099C7XKSA1
Price: 48.24 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IPA60R099C7XKSA1

制造商编号：

IPA60R099C7XKSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET HIGH POWER_NEW

数据表:

IPA60R099C7XKSA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220FP-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	12 A
Rds On-漏源导通电阻:	190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	42 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	33 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolMOS
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
下降时间:	4.5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8 ns
系列:	CoolMOS C7
工厂包装数量:	500
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	54 ns
典型接通延迟时间:	11.8 ns
零件号别名:	IPA60R099C7 SP001297996
单位重量:	2 g

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数据表

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Product Catalogs

SPICE Models

Simulation Model CoolMOS™ Power MOSFET PSpice 600V C7 (邮政)

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

CoolMOS™ C7功率MOSFET

Infineon CoolMOS™ C7功率MOSFET标志着技术的革命性进步，它实现了低R_DS(on)/封装，而且，由于其开关损耗低，故在整个负载范围内提高效率。C7系列优化用于太阳能、服务器、电信和UPS等应用中的硬开关拓扑（如功率因数校正 (CCM PFC)、双晶体管正激 (TTF) 和太阳能升压）。该系列器件具有650V击穿电压，因此适合用于需要额外安全裕度的太阳能和开关模式电源 (SMPS) PFC级。这些器件具有全球最低的R_DS(on)。采用TO-247封装的导通电阻为19mΩ，采用TO-220和D²PAK封装的导通电阻为45mΩ。借助C7的快速开关性能，客户可以大于100kHz的开关频率运行器件，并可实现服务器PFC级的钛金级效率。

CoolMOS™ 7超级结MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ 7超级结MOSFET为能源效率、功率密度和简单易用设立了新标准。CoolMOS 7技术针对特定应用进行优化，采用创新的封装，集成了各种技术。CoolMOS 7 MOSFET非常适合用于让电动汽车充电站更小巧、输出更高、充电更快的应用。由于CoolMOS 7的出现，新一代适配器和充电器更小巧、更轻盈、更高效。通过CoolMOS 7，工程师可以让可再生能源系统更经济、更高效。