IPP65R090CFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-P65R090CFD7XKSA1
IPP65R090CFD7XKSA1

制造商:

说明:
MOSFET HIGH POWER_NEW

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
ECAD模型:
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库存量: 774

库存:
774 可立即发货
生产周期:
19 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥51.7766 ¥51.78
¥27.3799 ¥273.80
¥24.9843 ¥2,498.43
¥23.6622 ¥11,831.10
¥21.4248 ¥21,424.80

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
700 V
25 A
90 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
53 nC
- 55 C
+ 150 C
127 W
Enhancement
Tube
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFETs
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
零件号别名: IPP65R090CFD7 SP005413363
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
德国
发货时,国家/地区可能会发生变化。