IPW60R190P6

Infineon Technologies
726-IPW60R190P6
IPW60R190P6

制造商：

说明：
MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM

数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
20.2 A
171 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
37 nC
- 55 C
+ 150 C
151 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8 ns
系列: CoolMOS P6
工厂包装数量: 240
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
零件号别名: SP001017090 IPW60R190P6FKSA1
单位重量: 6 g
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已选择的属性: 0

数据表

Product Catalogs

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
德国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

库存量: 461

库存：
461 可立即发货
生产周期：
8 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥36.3069 ¥36.31
¥23.7413 ¥237.41
¥17.6958 ¥1,769.58
¥14.803 ¥7,105.44
¥13.7295 ¥16,475.40
¥12.9046 ¥34,068.14

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