IPW65R230CFD7AXKSA1

Infineon Technologies
726-IPW65R230CFD7AXK
IPW65R230CFD7AXKSA1

制造商:

说明:
MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
230 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
23 nC
- 40 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
Tube
商标: Infineon Technologies
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 13 ns
工厂包装数量: 240
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
零件号别名: IPW65R230CFD7A SP003793176
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
德国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
奥地利
发货时,国家/地区可能会发生变化。

650V CoolMOS™ CFD7A SJ功率MOSFET

英飞凌科技  650V CoolMOS ™ CFD7A SJ功率MOSFET适用于电动汽车应用,例如车载充电器、高压-低压直流-直流转换器和辅助电源。CoolMOS CFD7A SJ功率MOSFET提高了宇宙辐射稳健性,因此能够以与前几代产品和其他市场产品相当的可靠性施加更高的电池电压。CoolMOS CFD7A SJ功率MOSFET可确保硬开关和谐振开关拓扑的高效率,特别是在轻负载条件下。在与前几代产品相当的栅极损耗水平下实现更高开关频率。系统重量轻、占用空间小,因此设计更加紧凑。

库存量: 45

库存:
45
可立即发货
在途量:
240
预期 2027/6/10
生产周期:
21
大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥39.1206 ¥39.12
¥23.5718 ¥235.72
¥17.7862 ¥1,778.62
¥14.9725 ¥7,186.80
¥14.8934 ¥17,872.08