IRF2804PBF

Name: Infineon IRF2804PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF2804PBF
Price: 18.08 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

942-IRF2804PBF

制造商编号：

IRF2804PBF

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg

数据表:

IRF2804PBF 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	280 A
Rds On-漏源导通电阻:	2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	160 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	330 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	2 g

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数据表

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Models

Saber Model - IRF2804 (CAD)

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF2804

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

功率MOSFET

Infineon率先采用HEXFET功率MOSFET技术，于1979年开发并推出首款六角形拓扑MOSFET。这些新开发的产品仅在四年后即取得了各种专利权，从那时起，大多数MOSFET制造商已经准许各类设计和工艺进入该市场。IR产品具有市场上同类产品中最低的MOSFET导通电阻，让功率转换子系统设计实现了出色的效率。IR将先进的硅技术与创新封装技术相结合。与采用相同占位的标准封装相比，IR POWIRTAB™、Super-220™和Super-247™封装可让每个器件最多承载20A的电流，从而提高了功率密度。IR的FlipFET®封装技术与标准的表面贴装焊接技术兼容，提供100％的硅与占位比，其性能与外形是其3倍大的传统封装相同，因此非常适合用于便携式电话或笔记本电脑等便携式设备。IR的DirectFET®封装支持通过封装顶部从板上吸走热量，从根本上改善了标准SO-8封装的热管理。因此，DirectFET MOSFET可以在为下一代微处理器供电的大电流电路中将电流密度提高一倍，同时将热管理成本降低一半。