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现货

RoHS

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IRFP150NPBF

Infineon Technologies

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

942-IRFP150NPBF

制造商编号：

IRFP150NPBF

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC

数据表:

IRFP150NPBF 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	39 A
Rds On-漏源导通电阻:	36 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.8 V
Qg-栅极电荷:	110 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	140 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	400
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	6 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IRFP150NPBF 数据表 (PDF)

Models

Saber Model - IRFP150N (CAD)

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRFP150N

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 中国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 2,058

库存：: 2,058

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在途量:: 8,000

预期 2026/10/27
生产周期：: 26

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥24.6453	¥24.65
	¥13.1532	¥131.53
	¥10.9158	¥1,091.58
	¥8.5993	¥3,439.72