IRFP3006PBFXKMA1

Mouser编号：

726-IRFP3006PBFXKMA1

制造商编号：

IRFP3006PBFXKMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET IR FET UP TO 60V

数据表:

IRFP3006PBFXKMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247AC-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	195 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	200 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	375 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
下降时间:	189 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	182 ns
工厂包装数量:	400
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	118 ns
典型接通延迟时间:	16 ns
零件号别名:	IRFP3006PBFXKMA1 SP005732687

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low R_DS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability.