IRFP4229PBFXKMA1

Name: Infineon IRFP4229PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRFP4229PBFXKMA1
Price: 44.21 RMB
Availability: InStock

Mouser编号：

726-IRFP4229PBFXKMA1

制造商编号：

IRFP4229PBFXKMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET IR FET >60-400V

数据表:

IRFP4229PBFXKMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247AC-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	250 V
Id-连续漏极电流:	44 A
Rds On-漏源导通电阻:	46 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	72 nC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	310 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	19 ns
正向跨导 - 最小值:	83 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	27 ns
工厂包装数量:	400
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	44 ns
典型接通延迟时间:	25 ns
零件号别名:	IRFP4229PBFXKMA1 SP005732690

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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