ISC012N04NM7VATMA1

Name: Infineon ISC012N04NM7VATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC012N04NM7VATM
Price: 15.74 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-ISC012N04NM7VATM

制造商编号：

ISC012N04NM7VATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

ISC012N04NM7VATMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TDSON-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	219 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.15 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.15 V
Qg-栅极电荷:	45 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	115 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	5.4 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4 ns
系列:	OptiMOS 7
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	17 ns
典型接通延迟时间:	9.7 ns
零件号别名:	ISC012N04NM7V SP006065126

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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