ISC013N06NM5SCATMA1

Name: Infineon ISC013N06NM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC013N06NM5SCAT
Price: 41.5 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-ISC013N06NM5SCAT

制造商编号：

ISC013N06NM5SCATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Dual-Side Cooled Drain-Down package

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

ISC013N06NM5SCATMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Infineon Technologies ISC013N06NM5SCATMA1详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WSON-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	276 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.3 V
Qg-栅极电荷:	90 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	188 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	9 ns
正向跨导 - 最小值:	80 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6 ns
系列:	OptiMOS 5
工厂包装数量:	4000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	31 ns
典型接通延迟时间:	16 ns
零件号别名:	ISC013N06NM5SC SP006183899

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

ISC013N06NM5SCATMA1 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

OptiMOS™ 5功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 5功率MOSFET的设计符合提升系统效率的需求，同时可降低系统成本。相较于其他备选器件，这些器件的R_DS(on)和品质因数 (R_DS(on) x Q_g) 更低。该产品采用新型硅技术，经优化可达到并超过能源效率和功率密度要求。这些MOSFET的典型应用包括计算领域中的服务器、数据通信和客户端应用。它们还可用于开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流以及电机控制、微型太阳能逆变器和快速开关直流/直流转换器应用。

特色产品

INFINEON

OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET

先进的N沟道设备，专为高效功率开关而设计。

了解更多的信息

OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET

凭借强大的功率MOSFET技术，为OptiMOS 5提供卓越的性能。

了解更多的信息

N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET

性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能提供最佳性能。

了解更多的信息

OptiMOS™ 8功率MOSFET

N沟道、标准电平80V或100V MOSFET，具有非常低的导通电阻（R_DS(ON)）。

了解更多的信息

N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET

80V N沟道标准电平设备，热阻优异，PG‑TDSON‑8封装。

了解更多的信息

供货情况

库存：: 0

您可以延期订购此产品。

出现意外错误。请稍候重试。
在途量:: 8,000

预期 2027/9/30
生产周期：: 52

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥46.895	¥46.90
	¥24.4871	¥244.87
	¥23.8204	¥2,382.04
	¥21.1762	¥10,588.10
	¥20.4304	¥20,430.40
整卷卷轴（请按4000的倍数订购）
	¥16.9613	¥67,845.20
8,000	报价

ISC013N06NM5SCATMA1

制造商： Infineon Technologies

说明： MOSFET OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Dual-Side Cooled Drain-Down package

规格

文件 (1)

数据表

产品与贸易合规

更多信息

OptiMOS™ 5功率MOSFET

客户还购买了

特色产品 INFINEON

供货情况

定价 (含13% 增值税)

快速查看

出现意外错误。

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Dual-Side Cooled Drain-Down package

特色产品

INFINEON