ISC016N08NM8ATMA1

Name: Infineon ISC016N08NM8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC016N08NM8ATMA
Price: 29.72 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-ISC016N08NM8ATMA

制造商编号：

ISC016N08NM8ATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

ISC016N08NM8ATMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Infineon Technologies ISC016N08NM8ATMA1详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PG-TDSON-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	268 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.54 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	76 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	263 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	7.2 ns
正向跨导 - 最小值:	55 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6.1 ns
系列:	OptiMOS 8
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	28 ns
典型接通延迟时间:	14 ns
零件号别名:	ISC016N08NM8 SP006165693

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

ISC016N08NM8ATMA1 数据表 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

OptiMOS™ 8功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 8功率MOSFET是N沟道、标准电平80V或100V MOSFET，具有非常低的导通电阻（R_DS(ON)）。80V MOSFET提供双面冷却封装（WSON-8），而100V MOSFET采用标准TDSON-8封装。每种封装均提供出色的热阻性能，且经过100%雪崩测试。英飞凌OptiMOS™ 8功率MOSFET采用软恢复二极管，且无铅、无卤，符合RoHS标准。

特色产品

INFINEON

OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET

先进的N沟道设备，专为高效功率开关而设计。

了解更多的信息

OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET

凭借强大的功率MOSFET技术，为OptiMOS 5提供卓越的性能。

了解更多的信息

N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET

性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能提供最佳性能。

了解更多的信息

OptiMOS™ 8功率MOSFET

N沟道、标准电平80V或100V MOSFET，具有非常低的导通电阻（R_DS(ON)）。

了解更多的信息

N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET

80V N沟道标准电平设备，热阻优异，PG‑TDSON‑8封装。

了解更多的信息

库存量: 15,300

库存：: 15,300 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 53 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥33.5836	¥33.58
	¥17.0404	¥170.40
	¥15.4697	¥1,546.97
	¥12.8255	¥6,412.75
	¥12.3283	¥30,820.75
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥12.1588	¥60,794.00
25,000	报价

ISC016N08NM8ATMA1

制造商： Infineon Technologies

说明： MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

规格

文件 (1)

数据表

环境文件

产品与贸易合规

更多信息

OptiMOS™ 8功率MOSFET

客户还购买了

特色产品 INFINEON

库存量: 15,300

定价 (含13% 增值税)

快速查看

出现意外错误。

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

特色产品

INFINEON