ISC024N08NM7ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC024N08NM7ATMA
ISC024N08NM7ATMA1

制造商：

说明：
MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
167 A
2.4 mOhms
20 V
3.2 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 5 ns
正向跨导 - 最小值: 130 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 3.8 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 20.4 ns
典型接通延迟时间: 10.3 ns
零件号别名: ISC024N08NM7 SP006183896
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
奥地利
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
奥地利
发货时，国家/地区可能会发生变化。

N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET

英飞凌N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET是高性能N沟道晶体管，专为要求苛刻的电源转换应用而设计。这些MOSFET具有极低的导通电阻、出色的热阻，以及优异的米勒比率，耐dv/dt。OptiMOS™ 7功率MOSFET针对软硬开关拓扑结构以及FOMoss进行了优化。这些功率MOSFET都100%通过了雪崩测试，并且符合RoHS标准。OptiMOS™ 7 功率MOSFET符合IEC61249‑2‑21国际标准，不含卤素。

N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET

英飞凌N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET是一款N沟道、标准电平设备，具有优异的热阻性能。OptiMOS 7 80V功率MOSFET系列具有软恢复体二极管，额定温度高达175°C。英飞凌OptiMOS 7 80V功率MOSFET采用PG-TDSON-8封装，针对电机驱动与同步整流应用进行了优化设计。

库存量: 135

库存：
135
可立即发货
在途量:
10,000
预期 2026/12/10
10,000
待定
生产周期：
53
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥26.8036 ¥26.80
¥13.7295 ¥137.30
¥12.0797 ¥1,207.97
¥9.9214 ¥4,960.70
¥9.5146 ¥9,514.60
¥9.1869 ¥22,967.25
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
¥7.4241 ¥37,120.50

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