ISC030N12NM6ATMA1

Name: Infineon ISC030N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC030N12NM6ATMA
Price: 52.41 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-ISC030N12NM6ATMA

制造商编号：

ISC030N12NM6ATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET IFX FET >100-150V

数据表:

ISC030N12NM6ATMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TSON-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	120 V
Id-连续漏极电流:	194 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.6 V
Qg-栅极电荷:	59 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	250 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
下降时间:	8.8 ns
正向跨导 - 最小值:	55 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	7.6 ns
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	12 ns
典型接通延迟时间:	12 ns
零件号别名:	ISC030N12NM6 SP005578327

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 7

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预期 2026/11/26
生产周期：: 52

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥59.2233	¥59.22
	¥32.6683	¥326.68
	¥25.4815	¥2,548.15
	¥22.6678	¥11,333.90
	¥20.4304	¥20,430.40
	¥19.9332	¥49,833.00
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥19.6055	¥98,027.50

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制造商： Infineon Technologies

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