ISC078N12NM6ATMA1

Name: Infineon ISC078N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC078N12NM6ATMA
Price: 24.52 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

726-ISC078N12NM6ATMA

制造商编号：

ISC078N12NM6ATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET IFX FET >100-150V

数据表:

ISC078N12NM6ATMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SuperSO-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	120 V
Id-连续漏极电流:	85 A
Rds On-漏源导通电阻:	7.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.1 V
Qg-栅极电荷:	21 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	125 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	4.5 ns
正向跨导 - 最小值:	27
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	3.2 ns
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	10.8 ns
典型接通延迟时间:	7.4 ns
零件号别名:	ISC078N12NM6 -

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥27.7076	¥27.71
	¥13.8086	¥138.09
	¥12.4865	¥1,248.65
	¥10.17	¥5,085.00
	¥9.8423	¥9,842.30
	¥9.266	¥23,165.00
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥9.266	¥46,330.00

ISC078N12NM6ATMA1

制造商： Infineon Technologies

说明： MOSFET IFX FET >100-150V

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