S29GL01GS10FHSS10

Name: Infineon S29GL01GS10FHSS10
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-S29GL01GS10FHSS1
Price: 152.62 RMB
Availability: OutOfStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

727-S29GL01GS10FHSS1

制造商编号：

S29GL01GS10FHSS10

制造商：

Infineon Technologies

说明：

NOR闪存 PNOR

数据表:

S29GL01GS10FHSS10 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	NOR闪存
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	FBGA-64
系列:	S29GL01G/512/256/128S
存储容量:	1 Gbit
电源电压-最小:	2.7 V
电源电压-最大:	3.6 V
有源读取电流（最大值）:	60 mA
接口类型:	Parallel
组织:	64 M x 16
数据总线宽度:	16 bit
定时类型:	Asynchronous
封装:	Tray
商标:	Infineon Technologies
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	NOR Flash
速度:	100 ns
工厂包装数量:	900
子类别:	Memory & Data Storage
商标名:	MirrorBit

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数据表

S29GL01GS10FHSS10 数据表 (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

合规代码

CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
JPHTS:: 854232039
KRHTS:: 8542321090
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.1.a

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 泰国
扩散国家:: 中国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash

Infineon Technologies S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash products are fabricated on 65nm process technology. These devices offer a fast page access time - as fast as 15ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. MIRRORBIT Eclipse™ Flash non-volatile memory is a CMOS 3V core with versatile I/O interface. Infineon S29 GL-S MIRRORBIT Eclipse™ Flash features a Write Buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation. This results in faster effective programming time than standard programming algorithms. Programming time makes the S29 GL-S flash ideal for today's embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption.