S29GL01GT10FHI010

Infineon Technologies
727-29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010

制造商:

说明:
NOR闪存 PNOR

ECAD模型:
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Infineon
产品种类: NOR闪存
RoHS:  
SMD/SMT
FBGA-64
S29GL01GT
1 Gbit
2.7 V
3.6 V
60 mA
Parallel
128 M x 8/64 M x 16
8 bit/16 bit
Asynchronous
- 40 C
+ 85 C
Tray
商标: Infineon Technologies
湿度敏感性: Yes
产品类型: NOR Flash
速度: 100 ns
工厂包装数量: 1800
子类别: Memory & Data Storage
商标名: MirrorBit Eclipse
单位重量: 3.159 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
JPHTS:
854232039
KRHTS:
8542321090
TARIC:
8542326900
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.1.a
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
泰国
扩散国家:
中国
发货时,国家/地区可能会发生变化。

S29GL01G/512/256/128S MIRRORBIT™ Flash Memory

Infineon Technologies S29GL01G/512/256/128S MIRRORBIT™ Eclipse Flash Memory is optimized for voltage, density, cost-per-bit, reliability, performance, and scalability needs. With densities from 32MB-2GB, each MIRRORBIT Memory Device requires only a single 3.0V power supply for read and write functions. The entire command set is compatible with the JEDEC Flash standards. The MIRRORBIT GL Flash Memory Device family supports Universal Footprint, which provides one footprint across all densities. The flash memory also supports product families and process technologies. This allows manufacturers to design single platform and simple scale Flash memory capacity up or down, depending on features and functionality.

MirrorBit Eclipse 闪存

Cypress  / S29GL512GT MirrorBit® Eclipse™ 闪存具有 15ns 的快速页面访问时间。 相应的随机存取时间快达 100ns。 它具有写入缓冲器,可在一次操作中最多编程 256 字/512 字节。 因此,有效编程时间比标准编程算法更快。 这一特性使得这些器件非常适合用于当今需要更高密度、更佳性能和更低功耗的嵌入式应用。
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库存量: 2,810

库存:
2,810 可立即发货
生产周期:
19 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥162.946 ¥162.95
¥151.1262 ¥1,511.26
¥146.4028 ¥3,660.07
¥141.4421 ¥7,072.11
¥138.4702 ¥13,847.02
¥134.9898 ¥33,747.45
¥132.9219 ¥66,460.95
1,000 报价