S29GL064S80BHB040

Infineon Technologies
727-S29GL064S80BH040
S29GL064S80BHB040

制造商:

说明:
NOR闪存 Nor

ECAD模型:
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Infineon
产品种类: NOR闪存
RoHS:  
SMD/SMT
BGA-48
S29GL064S
64 Mbit
2.7 V
3.6 V
50 mA
Parallel
8 M x 8
8 bit
Asynchronous
- 40 C
+ 105 C
AEC-Q100
Tray
商标: Infineon Technologies
湿度敏感性: Yes
产品类型: NOR Flash
速度: 80 ns
工厂包装数量: 3380
子类别: Memory & Data Storage
商标名: MirrorBit
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.1.a
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
泰国
扩散国家:
美国
发货时,国家/地区可能会发生变化。

汽车解决方案

Cypress汽车解决方案是符合AEC-Q100标准的产品组合,包括各种在制造和测试中符合严苛的零缺陷政策的高质量产品。MCU、NOR、RAM和PMIC零件为仪表板、车身电子、HMI和高性能存储解决方案提供了质量保证和支持。

S29CD016J闪存NOR内存

Cypress S29CD016J闪存NOR内存器件是采用110nm工艺技术制造的单精度浮点型产品。 S29CD016J闪存能够在两个独立存储区上执行具有零延迟的同时读写操作。 S29CD016J闪存NOR内存工作频率高达75MHz (32Mb) 或 66MHz (16Mb),采用2.5VCC至2.75VCC的单器件供电。 闪存NOR器件可用于双引导扇区配置,支持通用闪存接口(CFI),数据保留20年。 S29CDxJ 突发闪存器件非常适合用于要求严格的汽车应用。

S29GL064S闪存

Cypress S29GL064S闪存系列器件是3V单电源闪存、采用65nm MirrorBit® 工艺技术制造。 这些器件是16位宽数据,也可以通过使用BYTE#输入用作8位宽数据总线。 该内存器件是完整命令集,符合JEDEC单电源闪存标准。 Cypress MirrorBit®闪存技术产生最高水平的质量、可靠性和高性价比。 特性包括低功耗,70ns访问时间的高性能,以及具有多功能I/O的CMOS 3V内核。

供货情况

库存:
无库存
生产周期:
19 周 预计工厂生产时间。
最少: 3380   倍数: 3380
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥47.4261 ¥160,300.22