IME5116SDBETG-75I

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Mouser编号：

822-IME5116SDBETG75I

制造商编号：

IME5116SDBETG-75I

制造商：

Intelligent Memory

说明：

动态随机存取存储器 ECC S动态随机存取存储器, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

IME5116SDBETG-75I 数据表

ECAD模型:

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发货提醒：

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Intelligent Memory
产品种类:	动态随机存取存储器
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
类型:	SDRAM
存储容量:	512 Mbit
数据总线宽度:	16 bit
最大时钟频率:	133 MHz
封装 / 箱体:	TSOP-II-54
组织:	32 M x 16
访问时间:	5.4 ns
电源电压-最小:	3 V
电源电压-最大:	3.6 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
系列:	IME5116SD
封装:	Tray
商标:	Intelligent Memory
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	108
子类别:	Memory & Data Storage
电源电流—最大值:	60 mA
单位重量:	584 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

IME5116SDBETG-75I 数据表

合规代码

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320028
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Intelligent Memory Dynamic Random Access Memory (DRAM) includes a full range of JEDEC-compliant DRAMs and ECC DRAMs (SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, DDR4, LPDDR4). From an application's point of view, these components work like a monolithic device. The DRAM devices allow for maximum levels of memory density without altering existing board layouts or designs.

Synchronous DRAM (SDRAM)

Intelligent Memory Synchronous DRAM (SDRAM) encompasses 64Mb, 128Mb, 256Mb, and 512Mb density options with a 166MHz maximum speed in FBGA and TSOP packages. These components feature programmable burst lengths, auto/self-refresh, and integrated ECC error correction. Available with commercial, industrial, and automotive grades, the Intelligent Memory SDRAM devices offer a 166Mbps data rate and an 8-bit to 32-bit data bus width range.