Jantx2N6352

Mouser编号：

494-JANTX2N6352

制造商编号：

Jantx2N6352

制造商：

Microchip / Microsemi

说明：

达林顿晶体管 Power BJT

寿命周期:

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数据表:

Jantx2N6352 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Microchip
产品种类:	达林顿晶体管
RoHS:	N
配置:	Single
晶体管极性:	NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO:	80 V
发射极 - 基极电压 VEBO:	12 V
集电极—基极电压 VCBO:	80 V
最大直流电集电极电流:	5 A
最大集电极截止电流:	1 uA
Pd-功率耗散:	2 W
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-213AA-3
最小工作温度:	- 65 C
最大工作温度:	+ 200 C
封装:	Tray
商标:	Microchip / Microsemi
集电极连续电流:	5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:	5
产品类型:	Darlington Transistors
工厂包装数量:	1
子类别:	Transistors
单位重量:	8.424 g

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合规代码

USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

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