MP1918GQE-P

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

946-MP1918GQE-P

制造商编号：

MP1918GQE-P

制造商：

Monolithic Power Systems (MPS)

说明：

栅极驱动器 100V, High-Frequency, Half-Bridge GaN/MOSFET Driver

数据表:

MP1918GQE-P 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Monolithic Power Systems (MPS) MP1918GQE-P详情

发货提醒：

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Monolithic Power Systems (MPS)
产品种类:	栅极驱动器
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
产品:	Gate Drivers
类型:	Half-Bridge
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	QFN-14
激励器数量:	2 Driver
输出端数量:	1 Output
输出电流:	5 A
电源电压-最小:	3.7 V
电源电压-最大:	5.5 V
上升时间:	5 ns
下降时间:	3 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
封装:	Reel
商标:	Monolithic Power Systems (MPS)
逻辑类型:	TTL
最大关闭延迟时间:	30 ns
最大开启延迟时间:	30 ns
空闲时间—最大值:	6 ns
工作电源电流:	1 mA
输出电压:	100 V
产品类型:	Gate Drivers
传播延迟—最大值:	30 ns
关闭:	Shutdown
工厂包装数量:	500
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	GaN

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

MP1918GQE-P 数据表

此功能要求启用JavaScript。

原产地分类

原产国:: 不可用
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

MP1918 100V半桥GaN MOSFET驱动器

单片电源系统(MPS) MP1918 100V半桥GaN MOSFET驱动器设计用于驱动增强模式氮化镓(GaN) FET或N沟道MOSFET。单片电源系统 (MPS) MP1918具有独立的高侧(HS)和低侧(LS) PWM输入，采用自举技术实现HS驱动器电压。该器件能够在高达100V的环境中稳定工作。其采用了先进的充电技术，能够有效防止高侧驱动器电压超过V_CC，从而保护栅极免于遭受超出GaN场效应晶体管最大栅源电压的损害。