MP1918GQE-Z

Name: Monolithic Power Systems (MPS) MP1918GQE-Z
Brand: Monolithic Power Systems (MPS)
SKU: 946-MP1918GQE-Z
Price: 19.91 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

946-MP1918GQE-Z

制造商编号：

MP1918GQE-Z

制造商：

Monolithic Power Systems (MPS)

说明：

栅极驱动器 100V, High-Frequency, Half-Bridge GaN/MOSFET Driver

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Monolithic Power Systems (MPS)
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	Gate Drivers
类型:	Half-Bridge
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	QFN-14
激励器数量:	2 Driver
输出端数量:	1 Output
输出电流:	5 A
电源电压-最小:	3.7 V
电源电压-最大:	5.5 V
上升时间:	5 ns
下降时间:	3 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Monolithic Power Systems (MPS)
逻辑类型:	TTL
最大关闭延迟时间:	30 ns
最大开启延迟时间:	30 ns
空闲时间—最大值:	6 ns
工作电源电流:	1 mA
输出电压:	100 V
产品类型:	Gate Drivers
传播延迟—最大值:	30 ns
关闭:	Shutdown
工厂包装数量:	5000
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	GaN

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合规代码

CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

MP1918 100V半桥GaN MOSFET驱动器

单片电源系统(MPS) MP1918 100V半桥GaN MOSFET驱动器设计用于驱动增强模式氮化镓(GaN) FET或N沟道MOSFET。单片电源系统 (MPS) MP1918具有独立的高侧(HS)和低侧(LS) PWM输入，采用自举技术实现HS驱动器电压。该器件能够在高达100V的环境中稳定工作。其采用了先进的充电技术，能够有效防止高侧驱动器电压超过V_CC，从而保护栅极免于遭受超出GaN场效应晶体管最大栅源电压的损害。

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¥-.--

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥22.4983	¥22.50
	¥16.7127	¥167.13
	¥15.2211	¥380.53
	¥13.6504	¥1,365.04
	¥12.9046	¥3,226.15
	¥12.4865	¥6,243.25
	¥11.9893	¥11,989.30
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥11.9102	¥59,551.00

MP1918GQE-Z

制造商： Monolithic Power Systems (MPS)

说明： 栅极驱动器 100V, High-Frequency, Half-Bridge GaN/MOSFET Driver

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栅极驱动器 100V, High-Frequency, Half-Bridge GaN/MOSFET Driver

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