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MC33GD3100B3EK

Name: NXP MC33GD3100B3EK
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-MC33GD3100B3EK
Price: 81.55 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

771-MC33GD3100B3EK

制造商编号：

MC33GD3100B3EK

制造商：

NXP Semiconductors

说明：

电流隔离式栅极驱动器 IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters

数据表:

MC33GD3100B3EK 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	NXP
产品种类:	电流隔离式栅极驱动器
RoHS:
系列:	GD3100
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WSOIC-32
通道数量:	1 Channel
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
封装:	Tube
商标:	NXP Semiconductors
开发套件:	FRDMGD3100HB8EVM
湿度敏感性:	Yes
产品:	IGBT, SiC Gate Driver
产品类型:	Gate Drivers
Rds On-漏源导通电阻:	500 mohms
工厂包装数量:	42
子类别:	PMIC - Power Management ICs
电源电压-最大:	40 V
电源电压-最小:	5 V
技术:	SiC
类型:	Single Channel Gate Driver
零件号别名:	935444484574

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

MC33GD3100高级IGBT/SiC栅极驱动器

NXP Semiconductors MC33GD3100高级IGBT/SiC栅极驱动器是单通道栅极驱动器，用于绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 和碳化硅 (SiC) 功率器件。 NXP MC33GD3100栅极驱动器具有高级功能安全、控制和保护特性，因此非常适合用于汽车和电动汽车传动系应用（完全符合AEC-Q100 1级标准）。集成的电流隔离和低导通电阻驱动晶体管实现高充电和放电电流、低动态饱和电压以及轨到轨栅极电压控制。电流和温度检测可最大限度地降低故障期间的IGBT应力。精确、可配置的欠压闭锁 (UVLO) 提供保护，同时确保足够的栅极驱动电压裕量。