PCDF0665G1_T0_00601

Panjit
241-PCDF0665G1T00601
PCDF0665G1_T0_00601

制造商:

说明:
碳化硅肖特基二极管 650V/6A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

产品属性 属性值 选择属性
Panjit
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
Through Hole
ITO-220AC-2
Single
6 A
650 V
1.5 V
320 A
2 uA
- 55 C
+ 175 C
650 V
Tube
商标: Panjit
Pd-功率耗散: 70.8 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 50
子类别: Diodes & Rectifiers
单位重量: 1.562 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.

库存量: 1,988

库存:
1,988 可立即发货
生产周期:
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥46.3187 ¥46.32
¥24.1481 ¥241.48
¥21.922 ¥2,192.20
¥18.3625 ¥9,181.25