PCDP1665GC_T0_00601

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Mouser编号：

241-PCDP1665GCT00601

制造商编号：

PCDP1665GC_T0_00601

制造商：

Panjit

说明：

碳化硅肖特基二极管 650V SiC Schottky Barrier Diode

寿命周期:

NRND:

不建议用于新设计。

数据表:

PCDP1665GC_T0_00601 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Panjit
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220AC-2
配置:	Single
If - 正向电流:	16 A
Vrrm - 重复反向电压:	650 V
Vf - 正向电压:	1.5 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	584 A
Ir - 反向电流 :	500 nA
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Vr - 反向电压 :	650 V
封装:	Tube
商标:	Panjit
Pd-功率耗散:	149.2 W
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	50
子类别:	Diodes & Rectifiers
单位重量:	1.890 g

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数据表

PCDP1665GC_T0_00601 数据表

合规代码

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.