PJD65N04S-AU_L2_002A1

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Mouser编号：

241-PJD65N04SAUL22A1

制造商编号：

PJD65N04S-AU_L2_002A1

制造商：

Panjit

说明：

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

数据表:

PJD65N04S-AU_L2_002A1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Panjit
产品种类:	MOSFET
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252AA-2
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	167 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.3 V
Qg-栅极电荷:	50 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	125 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
商标:	Panjit
配置:	Single
下降时间:	11 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	49 ns
典型接通延迟时间:	16 ns
单位重量:	297 mg

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数据表

PJD65N04S-AU_L2_002A1 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

40V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 40V Enhancement Mode MOSFETs are low-voltage MOSFETs with an on-resistance of under 1Ω. These low-voltage MOSFETs are qualified based on the AEC-Q101 standard, commonly required for automotive-grade devices. The 40V enhancement mode MOSFETs are Lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. Typical applications include low-power system products, such as notebooks, PC motherboards, tablets, and other portable consumer products.