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QPD2060D

Name: Qorvo QPD2060D
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD2060D
Price: 113.14 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

772-QPD2060D

制造商编号：

QPD2060D

制造商：

Qorvo

说明：

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.60 mm Pwr pHEMT

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:
晶体管类型:	pHEMT
封装:	Reel
商标:	Qorvo
产品类型:	RF JFET Transistors
系列:	QPD2060D
工厂包装数量:	100
子类别:	Transistors

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合规代码

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

QPD2060D 600µm分立式GaAs pHEMT

Qorvo QPD2060D 600µm 分立式GaAs pHEMT（假晶高电子迁移率晶体管）的工作频率范围为直流至20GHz。通常情况下，8的输出功率为2dBm（P1dB时），增益为12dB，功率附加效率为55%（1dB压缩时）。得益于该性能，QPD2060D适合用于高效率应用。

特色产品

QORVO

QPD2060D 600µm分立式GaAs pHEMT

输出功率为28dBm（P1dB时），增益为12dB，功率附加效率为55%（1dB时）。

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QPD2080D 800µm 分立式GaAs pHEMT

输出功率为29.5dBm（P1dB时），增益为11.5dB，功率附加效率为56%（1dB时）。

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QPD2120D 1200µm分立式GaAs pHEMT

输出功率为31dBm（P1dB时），增益为11.5dB，功率附加效率为57%（1dB时）。

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QPD2160D 1600µm 分立式GaAs pHEMT

输出功率为32.5dBm（P1dB时），增益为10.4dB，功率附加效率为63%（1dB时）。

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QPD2018D 180um分立式GaAs pHEMT裸片

采用Qorvo经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺。

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库存量: 100

库存：: 100 可立即发货

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生产周期：: 20 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

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最少： 100 倍数： 100

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
整卷卷轴（请按100的倍数订购）
	¥127.8482	¥12,784.82
	¥121.8592	¥24,371.84
	¥119.6783	¥59,839.15

QPD2060D

制造商： Qorvo

说明： 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.60 mm Pwr pHEMT

规格

环境文件

产品与贸易合规

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QPD2060D 600µm分立式GaAs pHEMT

特色产品 QORVO

库存量: 100

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Qorvo

说明：

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.60 mm Pwr pHEMT

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