QPD2080D

Qorvo
772-QPD2080D
QPD2080D

制造商:

说明:
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.80mm Pwr pHEMT

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Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:  
pHEMT
Reel
商标: Qorvo
产品类型: RF JFET Transistors
系列: QPD2080D
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
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合规代码
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

QPD2080D 800µm 分立式GaAs pHEMT

Qorvo QPD2080D 800µm 分立式GaAs pHEMT(假晶高电子迁移率晶体管)的工作频率范围为直流至20GHz。通常情况下,QPD2080D的输出功率为29.5dBm(P1dB时),增益为11.5dB,功率附加效率为56%(1dB压缩时)。得益于该性能,QPD2080D适合用于高效率应用。