MB85RS4MLYPF-G-BCERE1

Name: RAMXEED MB85RS4MLYPF-G-BCERE1
Brand: RAMXEED
SKU: 249-85S4MLYPFGBCERE1
Price: 105.33 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

249-85S4MLYPFGBCERE1

制造商编号：

MB85RS4MLYPF-G-BCERE1

制造商：

RAMXEED

说明：

F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) T&R (125C)

数据表:

MB85RS4MLYPF-G-BCERE1 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	RAMXEED
产品种类:	F-RAM
RoHS:
存储容量:	4 Mbit
接口类型:	SPI
最大时钟频率:	50 MHz
组织:	512 k x 8
封装 / 箱体:	SOP-8
电源电压-最小:	1.7 V
电源电压-最大:	1.95 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
封装:	Reel
商标:	RAMXEED
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
工作电源电压:	1.8 V
产品类型:	FRAM
工厂包装数量:	500
子类别:	Memory & Data Storage

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数据表

MB85RS4MLYPF-G-BCERE1 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

USHTS:: 8542320071
ECCN:: 3A991.b.1.b.1

原产地分类

原产国:: 日本
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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