MS85R4M1TAFN-G-JAE2

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Mouser编号：

249-MS85R4M1TAFNGJAE

制造商编号：

MS85R4M1TAFN-G-JAE2

制造商：

RAMXEED

说明：

F-RAM

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

MS85R4M1TAFN-G-JAE2 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	RAMXEED
产品种类:	F-RAM
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
存储容量:	4 Mbit
组织:	512 K x 8
封装 / 箱体:	TSOP-44
访问时间:	120 ns
电源电压-最小:	1.8 V
电源电压-最大:	3.6 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 105 C
封装:	Tray
商标:	RAMXEED
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	FRAM
工厂包装数量:	126
子类别:	Memory & Data Storage

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数据表

MS85R4M1TAFN-G-JAE2 数据表 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-5-25 (PDF)

合规代码

USHTS:: 8542320000
ECCN:: 3A991.b.1.b.1

原产地分类

原产国:: 日本
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Parallel Interface FeRAMs

RAMXEED Parallel Interface FeRAMs are FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chips available in various bit configurations using ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies. These devices can retain data without a backup battery, unlike SRAM. The memory cells in the RAMXEED Parallel Interface FeRAM can support 1014 read/write operations, a significant improvement over the read and write operations supported by Flash memory and E2PROM. These FeRAM devices use a pseudo-SRAM interface.