RSS070P05FRATB

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Mouser编号：

755-RSS070P05FRATB

制造商编号：

RSS070P05FRATB

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Pch -45V Vds -7A 0.028Rds(on) 34Qg

寿命周期:

NRND:

不建议用于新设计。

数据表:

RSS070P05FRATB 数据表

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOP-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	45 V
Id-连续漏极电流:	7 A
Rds On-漏源导通电阻:	27 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	34 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	50 ns
正向跨导 - 最小值:	10 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	35 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	135 ns
典型接通延迟时间:	31 ns
零件号别名:	RSS070P05FRA
单位重量:	83 mg

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已选择的属性: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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SPICE Models

SpiceLink

Technical Resources

Test/Quality Data

RoHS (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100V_DSS to 100V_DSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and R_DS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.