SCT4045DWATL

ROHM Semiconductor
755-SCT4045DWATL
SCT4045DWATL

制造商:

说明:
碳化硅MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
1 Channel
750 V
31 A
45 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
63 nC
+ 175 C
93 W
Enhancement
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 9.3 S
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品: SiC MOSFETS
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 16 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管极性: N-Channel
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 5.1 ns
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

750V N沟道SiC MOSFET

ROHM Semiconductor 750V N通道SiC MOSFET可提升开关频率,因此减少所需的电容器、电抗器以及其他组件的数量。这些SiC MOSFET采用TO-247N、TOLL、TO-263-7L、TO-263-7LA和TO-247-4L封装。此系列器件的静态漏源导通电阻(RDS(on))额定值为13mΩ至65mΩ(典型值),连续漏极电流(ID)和源极电流(IS)范围为22A至120A(TC=25°C时)。这些ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高速开关特性,充分利用了SiC技术的独特优势。

库存量: 23

库存:
23
可立即发货
在途量:
1,000
生产周期:
27
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按1000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥101.8243 ¥101.82
¥58.5679 ¥585.68
¥56.8277 ¥5,682.77
¥53.5959 ¥26,797.95
整卷卷轴(请按1000的倍数订购)
¥50.7031 ¥50,703.10
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩