跳到主内容

TTI Family of Specialists旗下成员联系贸泽（上海）免费电话: 400-821-6111反馈

更改位置中文¥ RMB

免费电话: 400-821-6111 更改位置

现货

RoHS

您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

看到错误？

RM45P20D3

Rectron

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

583-RM45P20D3

制造商编号：

RM45P20D3

制造商：

Rectron

说明：

MOSFET DFN MOSFET

数据表:

RM45P20D3 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Rectron
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	19 V
Id-连续漏极电流:	45 A
Rds On-漏源导通电阻:	7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 12 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	55 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	80 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
商标:	Rectron
配置:	Single
下降时间:	23 ns
正向跨导 - 最小值:	80 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	42 ns
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	85 ns
典型接通延迟时间:	18 ns
单位重量:	161.193 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

RM45P20D3 数据表 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 不可用
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

RECTRON

RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Uses trench technology to provide excellent RDS(ON) with a low gate charge.

了解更多的信息

RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Uses advanced trench technology to provide excellent R_DS(ON).

了解更多的信息

RM3134 Dual N-Channel MOSFET

Lead-free product housed in a surface mount package.

了解更多的信息

RM135N100HD N-Channel Super Trench Power MOSFET

Features Super Trench technology optimized for efficient high-frequency switching performance.

了解更多的信息

RM150N60HD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features advanced Trench technology and design to provide excellent R_DS(ON) and a low gate charge.

了解更多的信息

供货情况

库存：: 无库存

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 请求交付报价

输入数量：

最少： 5000 倍数： 5000

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥2.3165	¥11,582.50
	¥2.2487	¥22,487.00