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现货

RoHS

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RM6003

Rectron

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

583-RM6003

制造商编号：

RM6003

制造商：

Rectron

说明：

MOSFET SOT-23 MOSFET

数据表:

RM6003 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Rectron
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-23-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	3 A
Rds On-漏源导通电阻:	105 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	6 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.7 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
商标:	Rectron
配置:	Single
下降时间:	10 ns
正向跨导 - 最小值:	3 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	15 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	15 ns
典型接通延迟时间:	6 ns
单位重量:	8 mg

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

RM6003 数据表 (PDF)

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合规代码

CNHTS:: 8541290000

原产地分类

原产国:: 不可用
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

RECTRON

RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Uses trench technology to provide excellent RDS(ON) with a low gate charge.

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RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Uses advanced trench technology to provide excellent R_DS(ON).

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RM3134 Dual N-Channel MOSFET

Lead-free product housed in a surface mount package.

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RM135N100HD N-Channel Super Trench Power MOSFET

Features Super Trench technology optimized for efficient high-frequency switching performance.

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RM150N60HD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features advanced Trench technology and design to provide excellent R_DS(ON) and a low gate charge.

了解更多的信息

供货情况

库存：: 无库存

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生产周期：: 请求交付报价

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最少： 9000 倍数： 3000

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥0.63732	¥5,735.88
	¥0.59551	¥14,292.24