L6385ED

STMicroelectronics
511-L6385ED
L6385ED

制造商：

说明：
栅极驱动器 HV H-Bridge driver
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STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
2 Driver
1 Output
650 mA
- 300 mV
17 V
50 ns
30 ns
- 45 C
+ 125 C
L6385E
Tube
商标: STMicroelectronics
逻辑类型: CMOS, TTL
Pd-功率耗散: 750 mW
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 2000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
单位重量: 100 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542390990
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

MOSFET和IGBT栅极驱动器

STMicroelectronics MOSFET和IGBT栅极驱动器是一系列用于工业、消费电子、计算机和汽车应用的分立器件。从单桥到半桥以及多通道驱动器，该产品系列的种类十分丰富。这些驱动器适用于低压或高压（高达1500V）应用。ST还提供电隔离栅极驱动器IC，以满足各种安全和功能要求。系统级封装 (SiP) 解决方案集成了高侧和低侧栅极驱动器以及基于MOSFET的功率级。因此，它们非常适合用于需要更高集成度和更低开发成本的工业市场。

STMicroelectronics L638xE和L639x栅极驱动器

STMicroelectronics L638xE和L639x栅极驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。这些L638xE和L639x器件是采用BCD™“离线”技术制造的高压器件。这些高压栅极驱动器设计用于在高侧（浮动）部分承受高达600V的电压轨。L638xE和L639x栅极驱动器的逻辑输入与CMOS或TTL兼容，可轻松连接控制器件。L638xE栅极驱动器采用DIP-8、SO-8、DIP-14以及SO-14管封装。L639x栅极驱动器采用SO-8、SO-14管以及SO-16管封装。
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电机驱动器

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库存量: 12,019

库存：
12,019 可立即发货
生产周期：
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥25.1425 ¥25.14
¥18.8597 ¥188.60
¥17.289 ¥432.23
¥15.5488 ¥1,554.88
¥14.5544 ¥3,638.60
¥14.1476 ¥7,073.80
¥13.7295 ¥13,729.50
¥12.4865 ¥24,973.00
¥12.4074 ¥49,629.60

备用包装

制造商零件编号:
L6385ED013TR
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥10.9158
最小:
1

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