您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

L6389ED

Name: STMicroelectronics L6389ED
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-L6389ED
Price: 9.74 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-L6389ED

制造商编号：

L6389ED

制造商：

STMicroelectronics

说明：

栅极驱动器 High voltage high and low-side driver

完成您的设计

数据表:

L6389ED 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解STMicroelectronics L6389ED详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	Half-Bridge Drivers
类型:	High-Side, Low-Side
安装风格:	SMD/SMT
激励器数量:	2 Driver
输出端数量:	1 Output
输出电流:	650 mA
电源电压-最小:	- 300 mV
电源电压-最大:	17 V
上升时间:	70 ns
下降时间:	40 ns
最小工作温度:	- 45 C
最大工作温度:	+ 125 C
系列:	L6389E
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	Gate Drivers
工厂包装数量:	2000
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	Si
单位重量:	80 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

L6389ED 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

STMicroelectronics L638xE和L639x栅极驱动器

STMicroelectronics L638xE和L639x栅极驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。这些L638xE和L639x器件是采用BCD™“离线”技术制造的高压器件。这些高压栅极驱动器设计用于在高侧（浮动）部分承受高达600V的电压轨。L638xE和L639x栅极驱动器的逻辑输入与CMOS或TTL兼容，可轻松连接控制器件。L638xE栅极驱动器采用DIP-8、SO-8、DIP-14以及SO-14管封装。L639x栅极驱动器采用SO-8、SO-14管以及SO-16管封装。
了解详情

MOSFET和IGBT栅极驱动器

STMicroelectronics MOSFET和IGBT栅极驱动器是一系列用于工业、消费电子、计算机和汽车应用的分立器件。从单桥到半桥以及多通道驱动器，该产品系列的种类十分丰富。这些驱动器适用于低压或高压（高达1500V）应用。ST还提供电隔离栅极驱动器IC，以满足各种安全和功能要求。系统级封装 (SiP) 解决方案集成了高侧和低侧栅极驱动器以及基于MOSFET的功率级。因此，它们非常适合用于需要更高集成度和更低开发成本的工业市场。