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SCT040H120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT040H120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT040H120G3AG
Price: 99.77 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-SCT040H120G3AG

制造商编号：

SCT040H120G3AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

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数据表:

SCT040H120G3AG 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	H2PAK-7
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	40 A
Rds On-漏源导通电阻:	54 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 18 V, + 18 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.2 V
Qg-栅极电荷:	54 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	300 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	19.2 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	21.1 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	36.3 ns
典型接通延迟时间:	12.9 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 意大利
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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