SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics
511-SCT055HU65G3AG
SCT055HU65G3AG

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
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STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
HU3PAK-7
1 Channel
650 V
30 A
72 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.2 V
29 nC
- 55 C
+ 175 C
185 W
Enhancement
AEC-Q101
商标: STMicroelectronics
下降时间: 12.1 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 7.9 ns
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 14.2 ns
典型接通延迟时间: 9.2 ns
单位重量: 2.320 g
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
日本
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

汽车级碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics汽车级碳化硅功率MOSFET采用ST先进的创新第二/第三代碳化硅MOSFET技术开发而成。   该器件具有单位面积导通电阻低、开关性能好等特点。  这些MOSFET具有非常高的工作温度能力（TJ = 200°°C），以及非常快速而坚固的本征体二极管。

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。

供货情况

库存：
0

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在途量:
1,800
预期 2027/2/12
生产周期：
36
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按600的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥111.9152 ¥111.92
¥85.2811 ¥852.81
¥71.0544 ¥7,105.44
整卷卷轴（请按600的倍数订购）
¥63.28 ¥37,968.00
¥59.89 ¥71,868.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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