SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics
511-SCT055W65G3-4AG
SCT055W65G3-4AG

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
完成您的设计

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解STMicroelectronics SCT055W65G3-4AG详情

库存量: 47

库存：
47 可立即发货
生产周期：
17 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥103.5645 ¥103.56
¥84.2867 ¥842.87
¥70.2295 ¥7,022.95
¥58.4775 ¥35,086.50

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
72 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.2 V
32 nC
- 55 C
+ 200 C
210 W
Enhancement
AEC-Q100
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 10 ns
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 3.6 ns
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

650碳化硅 (SiC) MOSFET

STMicroelectronics 650碳化硅 (SiC) MOSFET具有极低的每区域导通电阻 (RDS(on)) 以及出色的开关性能。这样即可实现更加高效、紧凑的系统。与硅MOSFET相比，碳化硅MOSFET即使在高温下也具有较低的每区域导通电阻。与各种温度范围内的优秀IGBT相比，碳化硅MOSFET还具有出色的开关性能。这样可以简化电力电子系统的热设计。

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。