SCT1000N170

Name: STMicroelectronics SCT1000N170
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT1000N170
Price: 69.61 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-SCT1000N170

制造商编号：

SCT1000N170

制造商：

STMicroelectronics

说明：

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	HiP-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.7 kV
Id-连续漏极电流:	6 A
Rds On-漏源导通电阻:	1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.1 V
Qg-栅极电荷:	14 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 200 C
Pd-功率耗散:	120 W
通道模式:	Enhancement
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
系列:	SCT1000N170
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
技术:	SiC
晶体管类型:	1 N-Channel

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数据表

SCT1000N170 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 意大利
组装原产国/地区:: 意大利
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻R_DS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。