SCTW90N65G2V

STMicroelectronics
511-SCTW90N65G2V
SCTW90N65G2V

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
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寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
90 A
25 mOhms
- 10 V, + 22 V
1.9 V
157 nC
- 55 C
+ 200 C
390 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 16 ns
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 38 ns
系列: SCTW90N
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 58 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
单位重量: 4.500 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
意大利
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

库存量: 604

库存：
604 可立即发货
数量大于604的订购须受最低订购要求的限制。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥198.1907 ¥198.19
¥167.3304 ¥1,673.30
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