SCTWA40N12G24AG

Name: STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTWA40N12G24AG
Price: 137.54 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-SCTWA40N12G24AG

制造商编号：

SCTWA40N12G24AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

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寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

SCTWA40N12G24AG 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	HiP247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	33 A
Rds On-漏源导通电阻:	105 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 18 V, + 18 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	63 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 200 C
Pd-功率耗散:	290 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	13 ns
封装:	Tube
产品:	SiC MOSFETS
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	5 ns
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	18 ns
典型接通延迟时间:	11 ns