STGD4H60DF

Name: STMicroelectronics STGD4H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD4H60DF
Price: 9 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STGD4H60DF

制造商编号：

STGD4H60DF

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥10.17	¥10.17
	¥6.4071	¥64.07
	¥4.2262	¥422.62
	¥3.3787	¥1,689.35
	¥3.0397	¥3,039.70
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥2.7346	¥6,836.50
	¥2.3391	¥11,695.50
	¥2.2148	¥22,148.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
安装风格:	SMD/SMT
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	600 V
集电极—射极饱和电压:	1.95 V
栅极/发射极最大电压:	20 V
在25 C的连续集电极电流:	8 A
Pd-功率耗散:	75 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	2500
子类别:	IGBTs
单位重量:	330 mg

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ECCN:: EAR99

STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT

STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT设计采用先进的沟槽式栅极场终止型结构。STMicroelectronics STGD4H60DF IGBT H系列实现了传导与开关效率之间的平衡，因此非常适合用于高频转换器。该器件还具有稍正的V_CE(sat)温度系数和一致的参数分布，可实现更安全的并联操作。