STGD5H60DF

Name: STMicroelectronics STGD5H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD5H60DF
Price: 8.49 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STGD5H60DF

制造商编号：

STGD5H60DF

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

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封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥9.5937	¥9.59
	¥6.0229	¥60.23
	¥3.9663	¥396.63
	¥3.4013	¥1,700.65
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥2.8815	¥7,203.75
	¥2.2939	¥11,469.50
	¥2.2035	¥22,035.00
	¥2.147	¥53,675.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
安装风格:	SMD/SMT
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	600 V
集电极—射极饱和电压:	1.5 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	10 A
Pd-功率耗散:	83 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	STGD5H60DF
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic:	10 A
栅极—射极漏泄电流:	+/- 250 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	2500
子类别:	IGBTs
单位重量:	330 mg

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数据表

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

1200V H 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

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